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RTX50系顯卡曝致命缺陷:關(guān)鍵區(qū)域過熱危及使用壽命

24直播網(wǎng)
電競資訊04月28日稱 知名硬件分析師 Igor Wallossek 旗下的 Igor's Lab 近日發(fā)布報告,揭示了英偉達RTX 50 系列顯卡可能存在一個潛在的硬件缺陷:關(guān)鍵供電區(qū)域的溫度過高問題。如果問題得不到解決,這可能威脅到這些新一代顯卡的穩(wěn)定性和長期使用壽命。

Igor's Lab 的團隊通過熱成像和細致測試,在顯卡 PCB 上,特別是在電壓調(diào)節(jié)模塊(VRMs)附近,發(fā)現(xiàn)了局部的高溫熱點。分析認為,供電子系統(tǒng)中的電子元件(如 FETs、電感線圈等)為了追求緊湊的 PCB 設(shè)計,被放置得過于靠近,犧牲了散熱空間,加劇了熱密度。

測試數(shù)據(jù)顯示令人擔憂。在一項對比測試中,PNY RTX 5070 和 Palit RTX 5080 Gaming Pro OC 顯卡的 VRM 區(qū)域溫度表現(xiàn)不一。RTX 5080 的 VRM 區(qū)域測得溫度為 80.5°C,而 RTX 5070 在同一區(qū)域的溫度飆升至驚人的 107.3°C,遠超長期安全運行的范圍。這可能與 RTX 5070 相對較短的 PCB 設(shè)計導(dǎo)致供電元件更集中有關(guān)。

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報告指出,這并非個例,該缺陷似乎影響了基于當前設(shè)計的所有 RTX 50 系列 GPU。Igor's Lab 推測,問題根源可能在于英偉達提供給其合作廠商(AIB)的散熱設(shè)計指導(dǎo)存在疏漏,未能充分考慮理想散熱條件之外的情況、PCB 功率損耗及元件在高溫下的異常行為。

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如果這些問題未能解決,顯卡的供電元件(如電容、MOSFETs)在持續(xù)高溫下會加速老化,可能導(dǎo)致電壓不穩(wěn)定、崩潰、焊點劣化,甚至縮短顯卡壽命,提前發(fā)生故障。這令人聯(lián)想到 RTX 4090 電源接口熔毀事件,但這次的問題可能根植于 PCB 設(shè)計本身。

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